通过cv曲线计算半导体功函数

分类:函数知识网浏览量:3520发布于:2021-06-21 23:26:01

通过cv曲线计算半导体功函数

关于功函数的测量方法:功函数的测量方法分为“绝对测量”和“相对测量”两大类:1)绝对测量法是测量电磁场的垂直分量和水平分量的振幅值和它们相对于—次场相

把阴极和阳极分支分开来积分啊,就是了 这个公式我明白?若是容量那单位是mAh 电压对应的两个电流值:你的CV曲线给出的是两列数据, 电压区间V.单纯对第二列

选中曲线,在origin里有个analysis-mathmatics-integrate就是积分.计算比电容我用的就是这个公式是S/(2mvU),m是质量,U是电压窗,2是只计算放电或充电电容

* 测量禁带宽度1:利用紫外见漫反射测量吸光度与波数据作图利用截线做吸收波阈值 λg(nm)利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度2:利用 (Ahν)2 hν 做图利用直

1 积分区的双电层区.2 在积分区域内必须没有电化学反应发生,即在积分区域内CV图的电流完全由双电层电容供应.可以粗略计算,但不是很准确.也可以采用在平衡电位附近给一微小脉冲,采用恒电位阶跃方法计算电容,前提也是无电化学反应发生.

ZrO2暂时没查到具体数值.参考:ZrO2 是P型半导体,其功函数比铜高,强相互作用的结果可能导致铜处于类似缺电子的状态.注:铜的功函数为4.6eV;铂的功函数为 5.64eV. http://docs.google.com amGuSmWq_yG2w

半导体载流子计算公式:n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT),n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数.半导体载流子即半导体中的电流载体.在物理学中,载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒,如电子和离子.在半导体中,存在两种载流子,电子以及电子流失导致共价键上留下的空位(空穴)均被视为载流子.通常N型半导体中指自由电子,P型半导体中指空穴,它们在电场作用下能作定向运动,形成电流.

摔倒后有短暂意识不清,属于轻度脑震荡,大脑功能完全恢复需要一定时间,再次做头颅CT没有发现异常,应该问题不大,无需特别治疗,继续观察.避免剧烈运动,转头或低头动作宜缓慢,不要过度用脑,保证充足睡眠.

可以,但是数据会有误差.

用左手定则,磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,拇指为电场方向,拇指指向负电荷一侧,此时为p型半导体,空穴型.若方向正好相反,则为n型半导体,也是电子型.